Vad är GaN och varför behöver du det?
Galliumnitrid, eller GaN, är ett material som börjar användas för halvledare i laddare. Det användes för att tillverka lysdioder från och med 90-talet, och det är också ett populärt material för solcellsarrayer på satelliter. Huvudsaken med GaN när det kommer till laddare är att den producerar mindre värme. Mindre värme innebär att komponenterna kan vara närmare varandra, så en laddare kan vara mindre än någonsin tidigare – samtidigt som alla strömförmågor och säkerhetsstandarder bibehålls.
Vad gör en laddare egentligen?
Vi är glada att du frågade.
Innan vi tittar på GaN på insidan av en laddare, låt oss ta en titt på vad en laddare gör. Alla våra smartphones, surfplattor och bärbara datorer har ett batteri. När ett batteri överför ström till våra enheter är det som händer faktiskt en kemisk reaktion. En laddare tar en elektrisk ström för att vända den kemiska reaktionen. I början skickade laddare bara juice till ett batteri konstant, vilket kunde leda till överladdning och skada. Moderna laddare inkluderar övervakningssystem som sänker strömmen när ett batteri fylls, vilket minimerar risken för överladdning.
Värmen är på:
GaN ersätter kisel
Sedan 80-talet har kisel varit det bästa materialet för transistorer. Kisel leder elektricitet bättre än tidigare använda material – som vakuumrör – och håller nere kostnaderna, eftersom det inte är för dyrt att producera. Under decennierna har förbättringar av tekniken lett till den höga prestanda vi är vana vid idag. Framsteg kan bara gå så långt, och kiseltransistorer kan vara nära så bra som de kommer att bli. Egenskaperna hos själva kiselmaterialet när det gäller värme och elektrisk överföring gör att komponenterna inte kan bli mindre.
GaN är annorlunda. Det är ett kristallliknande material som kan leda mycket högre spänningar. Elektrisk ström kan passera genom komponenter tillverkade av GaN snabbare än kisel, vilket leder till ännu snabbare bearbetning. GaN är mer effektivt, så det finns mindre värme.
Posttid: 18 juli 2022
